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IRFR/U3418PbF
100000
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
12.0
10.0
8.0
ID= 18A
VDS= 64V
VDS= 40V
VDS= 16V
1000
Coss
Crss
6.0
4.0
100
2.0
10
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
10000
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
100.00
1000
LIMITED BY R DS(on)
T J = 175°C
100
10.00
100μsec
10
1.00
T J = 25°C
1
TC = 25°C
1msec
0.10
VGS = 0V
0.1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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